Перегляд за автором "Долголенко, А.П."

Результати 1-14 з 14

Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора

Долголенко, А.П.; Литовченко, П.Г.; Варенцов, М.Д.; Ластовецкий, В.Ф.; Гайдар, Г.П.; Литовченко, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2006)

Образцы n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и нейтронно-легированные (NTD), исследованы до и после облучения быстрыми нейтронами реактора при комнатной температуре. ...
Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии

Варенцов, М.Д.; Гайдар, Г.П.; Долголенко, А.П.; Литовченко, П.Г. (2010)

Описан отжиг А-центров, дивакансий, А-центров, модифицированных водородом, в n-Si (P ≈ 10^14 см^-3), в отсутствие и при наличии примеси платины, после облучения протонами с энергией 1,8 МэВ. Показано, что энергия активации ...
Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода

Долголенко, А.П.; Гайдар, Г.П.; Варенцов, М.Д.; Литовченко, П.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2008)

Исследована радиационная стойкость образцов n-Si, выращенных методом Чохральского (Сz), с примесью германия (NGe=2•10²⁰ cм⁻³) и без нее после облучения быстрыми нейтронами. Обнаружено, что введение германия повышает ...
Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора

Долголенко, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2011)

Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движений электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. Описаны температурные зависимости концентрации носителей в ...
Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора

Долголенко, А.П.; Литовченко, П.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2015)

Рассчитана температурная зависимость кинетических коэффициентов, измеренных в темноте и при ИК-подсветке за краем собственного поглощения Ge- и Si-фильтров, и описано поведение подвижности электронов в высокоомном кремнии, ...
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций

Долголенко, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2017)

Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки ...
Конфигурационная перестройка дивакансии: электронные обобщенные уровни в запрещенной зоне кремния

Долголенко, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2015)

Описана температурная зависимость концентрации носителей в кремнии, связанная с перезарядкой дважды отрицательной и положительно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с ...
Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии

Долголенко, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2014)

Рассчитана температурная зависимость подвижности электронов и описано поведение дырок в высокоомном кремнии, выращенном методами Чохральского и бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора и ...
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия

Гайдар, Г.П.; Долголенко, А.П.; Литовченко, П.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2009)

Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность ...
Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами

Долголенко, А.П.; Гайдар, Г.П.; Варенцов, М.Д.; Литовченко, П.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2009)

Исследована радиационная стойкость образцов n- и р-Si, выращенных методом бестигельной зонной плавки и трансмутационно-легированных, а также кремния, выращенного методом Чохральского до и после легирования германием (NGe ...
Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов

Долголенко, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2016)

Описано поведение подвижности электронов при их диффузном движении в высокоомном кремнии, вы- ращенном методом бестигельной зонной плавки (Fz) и методом Чохральского (Cz), после облучения быст- рыми нейтронами реактора ...
Уровни обобщения конфигураций дивакансий в кремнии при участии межузельных атомов

Долголенко, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2017)

Описано поведение подвижности электронов при их диффузном движении в высокоомном кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки (Fz) и методом Чохральского (Cz), после облучения быстрыми нейтронами реактора и ...
Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии

Долголенко, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2013)

Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀=(1,63…7,09)·10¹¹ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К. Определены энергетические уровни дивакансии в германии ...
Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии

Долголенко, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2012)

Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ см⁻³) и n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К и изотермического или изохронного ...

Результати 1-14 з 14

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Долголенко, А.П."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Долголенко, А.П."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис